吴汪然职务：
单位：国家ASIC工程中心
电话：
出生年月：
邮箱：wrwu@seu.edudotcn
学历：博士
地址：南京市玄武区四牌楼2号
职称：青年首席教授
个人简介 青年首席教授，博导，分别于2011年、2016年在南京大学获得学士学位与博士学位，入选国家级青年人才、江苏省333高层次人才工程。研究方向为柔性电子器件、电路与系统的设计和制备。主持国家和省部级项目7项，以第一/通讯作者在IEEE IEDM、Symp. on VLSI、IEEE TPE/EDL/TED发表论文40余篇，多篇论文入选IEEE EDL编辑精选、JOS封面论文，担任IEEE IRPS会议Session主席和TPC，获2021年江苏省科学技术二等奖。
教育经历 | 2011-2016，南京大学，电子科学与技术学院，博士 | | 2014-2015，美国普渡大学，ECE，联合培养博士 | | 2007-2011，南京大学，物理学院，学士 |
工作经历 2026-至今 东南大学 太阳集团tyc122cc 青年首席教授 | 2020-2026 东南大学 太阳集团tyc122cc 副教授 | 2016-2020 东南大学 电子科学与工程学院 讲师 |
讲授课程 本科： 《电路基础》 《固体物理基础》 《功率集成电路设计基础》 《集成电路制造综合课程》 研究生： 《半导体器件物理》
研究成果 代表性论文 -----2026----- W. Xu et al.,“An Upper-Tier ESD Protection Scheme Using Parallel-Electrode ITO TFTs for Monolithic-3D Heterogeneous Integration Achieving >3000 V HBM Tolerance,” in IEEE Symp. on VLSI 2026，Hawaii，USA，June 2026. T. Huang et al., “Flexible active-matrix micro-LED display with 1T-1FeMFET architecture featuring scaling-limit-free design,” Nat Commun, Mar. 2026, doi: 10.1038/s41467-026-71182-9. T. Huang et al., “Demonstration of InSnO thin-film transistors with superior uniformity and reliability utilizing SiO2 passivation,” J. Semicond.（封面论文）, vol. 47, no. 2, p. 022101, Feb. 2026, doi: 10.1088/1674-4926/25050023.
-----2025----- R. Shi et al., “Monolithic 3D-Integrated Neuromorphic Biosignal Processor Using Hydrogen-Controlled Dual-Gate TFTs on a Flexible Substrate,” in 2025 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, CA, USA: IEEE, Dec. 2025, pp. 1–4. doi: 10.1109/IEDM50572.2025.11353485. T. Huang et al., “Flexible 1T-1FeMTFT Active-matrix Micro-LED Display Utilizing ITO FeMTFT with Record Memory Window of 0.63 V/nm and Low Power Consumption,” in 2025 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, CA, USA: IEEE, Dec. 2025, pp. 1–4. doi: 10.1109/IEDM50572.2025.11353494.
-----2024----- Z. Yu et al., “A Low-Dropout Regulator Integrated With E-mode IGZO and D-mode ITO/IGZO Dual Layer Thin Film Transistors With Superior Uniformity and Stability,” IEEE Electron Device Lett.（Editor's Pick）, vol. 45, no. 11, pp. 2134–2137, Nov. 2024, doi: 10.1109/LED.2024.3456861. Z. Yu et al., “Flexible Active-Matrix Micro-LED Display Utilizing InSnO TFTs with High Mobility of 39.1 cm2 V-1 s-1 and Mass-Production Compatible Process,” in 2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, CA, USA: IEEE, Dec. 2024, pp. 1–4. doi: 10.1109/IEDM50854.2024.10873540.
-----2023----- Z. Yu et al., “A Monolithically Integrated Low-Dropout Regulator Based on a-InGaZnO TFTs With Ultralow Power Consumption,” IEEE Electron Device Lett.（Editor's Pick）, vol. 44, no. 10, pp. 1648–1651, Oct. 2023, doi: 10.1109/LED.2023.3309622.
学术兼职 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) TPC； IEEE International symposium on the physical & failure analysis of integrated circuits (IPFA) TPC； IEEE IRPS 2022 Session Chair.
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